簡易檢索 / 檢索結果

  • 檢索結果：共2筆資料 檢索策略： "Dong-Hau Kuo".ecommittee (精準) and ckeyword.raw="石墨烯"


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    製備具多層石墨烯電極之氮化鎵高電子遷移率電晶體及其特性研究
    • 材料科學與工程系 /110/ 碩士
    • 研究生： 鍾官諭   指導教授： 柯文政
    • 近年來，第三代寬能隙半導體材料氮化鎵被廣泛應用於高頻及高功率元件，然而高功率操作下元件廢熱堆積，會使元件特性衰退，傳統金屬電極也有熱退化問題。本研究在氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)基板…
    • 點閱：687  下載：0 
    • 全文公開日期 2025/01/26 (校內網路)
    • 全文公開日期 2027/01/26 (校外網路)
    • 全文公開日期 2027/01/26 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)

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    Growth and Characterization of GaN Thin Films on Graphene/Sapphire Substrate
    • 材料科學與工程系 /108/ 博士
    • 研究生： Solomun Teklahymanot Tesfay   指導教授： 柯文政
    • 這項研究研究了通過嵌入複合氮化鋁緩衝層（AlN BL），可以在少層石墨烯（FLG）/藍寶石基板上生長高質量GaN薄膜。複合氮化鋁緩衝層分別通過濺鍍和金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）生長的低溫AlN…
    • 點閱：281  下載：0 
    • 全文公開日期 2025/07/01 (校內網路)
    • 全文公開日期 2025/07/01 (校外網路)
    • 全文公開日期 2025/07/01 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)
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